重生2008:我閱讀能賺錢 第440章 光刻機項目:另闢蹊徑
更新:09-21 20:41 作者:520農民 分類:都市小說
第440章 光刻機項目:另闢蹊徑
沐陽研究更新後的閱讀系統兩個多小時才研究透,興奮得睡不著。
喝了一杯茶,他想看看晶片製造技術的核心設備:光刻機。
目前市場上,有兩種主流光刻機,一個是duv光刻機,另一個是euv光刻機。
duv是深紫外線(deep ultraviolet lithography),euv是極深紫外線(extreme ultraviolet lithography)。
從製程範圍來看,duv基本上只能做到25nm,intel憑藉雙工作檯的模式做到了10nm,但是卻無法達到10nm以下。
只有euv能滿足10nm以下的晶圓製造,並且還可以向5nm、3nm繼續延伸。
這個線寬其實就是跟光的線寬有關係,比如可見光的g線,那就是436nm,如果用來刻蝕,線路肯定很寬。
可以簡單地認為,光刻機的光系統其實就是一支畫筆,不同的光代表不同粗細大小的筆芯,越細的筆(光)能夠畫越細越複雜的畫。
duv就是彩筆,euv就是中性筆,中性筆畫的線條比較細,比較好用。
這麼理解,也好理解光刻機到底如何刻蝕電路圖了。
當前,國外品牌光刻機主要以荷藍asml,島國nikon和canon三大品牌為主。
euv的價格是1-3億美金/台,duv的價格為2000萬-5000萬美金/台不等。
目前先進的光刻系統就是euv光刻機,如果沐陽打算走euv光刻機路線,必然繞不開別人的技術專利保護範圍。
因此,他只能尋找另外光種的光刻機,同時要考慮到光的解析度、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等指標。
就說解析度,如果製作出來的電路圖模糊不清,那晶片肯定不好。
光刻機其它的指標,也可以比喻成畫筆的性能就行了。
並不是說,沐陽不能搞光刻機了,只是說,再搞duv和euv光刻機,繞不開以上三家企業的技術專利保護範圍。
所以,他只能另闢蹊徑。
很久之前,沐陽就想到過電子束光刻機。
原本,再過幾年,漂亮國的一個實驗室研發出一套名為zyvexlitho1的光刻系統,基於stm掃描隧道顯微鏡,使用的是ebl (e-beam lithography)電子束光刻方式,製造出了0.7nm線寬的晶片,只是沒法實現批量生產,或者成本高過。
沐陽相信,如果是技術成熟的電子束光刻機,線寬比0.7nm更小。
他在系統商店普通貨架上默念搜索「電子束光刻機」,很快,搜索出幾款相關技術。
沐陽選擇適合自己公司的一款技術:ebl01
技術參數:
1.最小線寬:小於1nm
2.加速電壓:5-500kv
3.電子束直徑:小於0.5nm
4.套刻精度:1nm(mean+0.2σ)
5.拼接精度:1nm(mean+0.2σ)
6.加工晶圓尺寸:4-18英寸
7.描電鏡解析度:小於0.2nm
主要特點:
1.採用超高亮度和超高穩定性的tfe電子槍;
2.出色的電子束偏轉控制技術;
3.採用場尺寸調製技術,電子束定位解析度可達0.0002nm;
4.採用軸對稱圖形書寫技術,圖形偏角解析度可達0.002mrad;
5.應用領域廣泛,如微納器件加工,研究用掩膜製造,納米加工(例如單電子器件、量子器件製作等),高頻電子器件中的混合光刻,圖形線寬和圖形位移測量等。
……
需要成就點:300點!
……
沐陽大概看了下簡介,光從技術參數上就看出它的先進性。
還有更加先進的光刻機,但是,以星海集團目前的條件,買了也造不出來,而且需要的成就點非常多。
這個ebl01號稱可以製造1nm以下的晶片,但量產成本會比較高。
因此,當前的情況,星海集團可以從7nm晶片工藝開始,可以保證在2018年之前保持在世界第一地位。
等競爭對手可以批量搞7nm晶片了,星海集團再推出5nm或3nm晶片。
有些設備應用,也用不著這麼高端的晶片,28nm晶片工藝足夠,也是未來十年內的主流。
只是說,沐陽不打算玩什麼中低端晶片。
另外,沐陽打算弄一些小於1nm的晶片,用於製造量子計算機和超算,這類晶片他打算自用。
接下來,沐陽確認購買ebl01技術。
十幾分鐘後,沐陽把ebl01技術吸收完畢。
他感覺自己對光刻機有了更深入的了解,如今就是實實在在的晶片製造頂尖專家。
買了光刻機的技術,沐陽還得購買晶片設計技術、晶片設計相關軟體和相關設備。
這個晶片設計軟體,他就不打算自己研發了,他在晶片軟體設計這一塊是弱點,靠自己研究不知道得花多長時間。
而且,目前公司形勢嚴峻,一旦漂亮國知道自己公司在搞晶片了,會對星海集團搞各種限制。
沐陽現在趕時間,同時還有更多更重要的事情需要他親自處理。
於是,他又花了400點成就點。
這一晚,沐陽就花了700點成就點,還是有些心疼。
等吸收完新技術後,沐陽實在有些發困了,回床休息。
翌日,沐陽是被宋雪