「各位董事，要是EUV LLC聯盟在未來二年內從理論上證明研製EUV光刻機的技術可行，將這個寶貴的機會和重任交給GCA，公司不可能放棄，但投資巨大，半導體產業陷入衰退又不可避免，避免兩線作戰，造成資金捉襟見肘，我們只能將重心放在EUV光刻機的研製上。我建議艾德里安先生和湯普森院長出面找SVG商談，聯合開發157nm雷射器。」

    孫健估計，EUV LLC聯盟在明年底前就能證明製造EUV光刻機在理論上的可行性，但EUV光刻機量產最起碼還需要10年，如今也不能告訴大家，到時由BSEC免費提供193nm浸沒式光刻機專利技術給GCA。

    BSEC是在GCA擁有的第一代193nmArF準分子雷射器專利技術基礎上研發成功193nm浸沒式光刻機技術，核心還是GCA擁有技術專利的193nm準分子雷射器，GCA研製的第二代、第三代193nm準分子雷射器也授權BSEC技術；雖然浸沒式光刻技術屬於BSEC重新開發的公司發明專利，但按照當初簽訂的專利技術授權轉讓合同，要免費授權給GCA使用，就像GCA去年研發成功的第三代（12英寸晶圓、90nm製程工藝）磁懸浮式雙工作檯系統，專利還是屬於BSEC，授權GCA免費使用。

    15um800nm製程工藝的光刻機配套6英寸晶圓，500nm180nm製程工藝光刻機配套8英寸晶圓，90nm以下的都配套12英寸晶圓，相配套的磁懸浮工作檯系統分別稱為第一代、第二代、第三代，一代中還有子代，核心技術還是BSEC擁有公司發明專利的第一代。

    GCA研發成功第二代、第三代磁懸浮式雙工作檯系統通過夏季常院士領導的光刻機自動化研究所改進後，青出於藍而勝於藍，返還GCA使用，授權其他光刻機公司升級。

    BSEC光刻機自動化研究所將來研製為12英寸晶圓、65nm製程工藝浸沒式光刻機配套的磁懸浮式雙工作檯系統將稱為第四代，10nm稱為第五代、7nm稱為第六代BSEC擁有的磁懸浮式雙工作檯系統的公司發明專利不會失效。

    兩家公司雖然都是孫健控股，手背手心都是肉，但嚴格按照兩國法律辦事，不會留下被人攻擊的把柄。

    以GCA如今的江湖地位、財力和技術實力，願意同SVG聯合開發157nm雷射器，對雙方都有利，如何說服Papken同意就不是孫健關心的事了。

    「好的，董事長！」

    「好的，董事長！」

    孫董事長同意兩條腿走路，艾德里安和湯普森放心了，他倆有信心說服Papken。

    其他董事也露出笑容。

    孫健也沒辦法說服公司高層放棄研究157nm雷射器，只能折中。

    1999年財報顯示，SVG的銷售收入只有27億美元，不到GCA的5，157nm雷射器技術路線在前世已被證明沒有遠大前途，孫健不能明說，也說不清楚，正好借這次董事會的機會否決了GCA高層打算投資10億美元收購SVG的意向。

    前世，為了能進入EUV LLC聯盟，給美國政府一份投名狀，ASML花費16億美元收購了市值10億美元的SVG，拿到了157nm雷射器需要配置的反折射鏡頭技術，由於已經研發成功193nm浸沒式光刻機技術，光刻效果超過Nikon的157nm光刻機技術，SVG的157nm雷射器技術被束之高閣。

    前世，Nikon費盡心機，在ASML研究成功193nm浸沒式光刻機二年後，也研製成功157nm雷射器，攻克了193nm波長的世界級難題，研製成功65nm製程工藝光刻機，但光刻效果不如65nm製程工藝的ASML浸沒式光刻機好，Intel、台積電和三星等光刻機等三家全球最重要客戶不買賬，Nikon不得不另起爐灶，重新開始研發浸沒式光刻機，Nikon技術實力雄厚，竟然也研製成功，但一去一回，耽誤了三、四年的時間，高端光刻機市場被ASML占據了，隨著EUV光刻機面世，超高端光刻機市場也被ASML壟斷，日本舉國之力也沒有研製成功EUV光刻機，Nikon喪失了同ASML競爭的資格，在中端光刻機市場混日子。

    光